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厂商型号

2SD1685G 

产品描述

Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin TO-126ML

内部编号

277-2SD1685G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:1798
最小起订量:1
美国加州
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2SD1685G产品详细规格

规格书 2SD1685G datasheet 规格书
2SD1685G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 200
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 20V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 60mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 120 @ 500mA, 2V
功率 - 最大 1.5W
频率转换 120MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126ML
包装材料 Bulk
包装 3TO-126ML
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 20 V
集电极最大直流电流 5 A
最小直流电流增益 280@500mA@2V
最大工作频率 120(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.5@60mA@3A V
最大集电极基极电压 60 V
工作温度 N/A to 150 °C
最大功率耗散 1500 mW
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
集电极最大直流电流 5
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极基极电压 60
标准包装名称 TO-225-AA
包装高度 11
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 120(Typ)
PCB 3
最大集电极发射极电压 20
每个芯片的元件数 1
包装宽度 3.3
供应商封装形式 TO-126ML
包装长度 8
最大功率耗散 1500
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 5A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 120MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 60mA, 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 20V
供应商设备封装 TO-126ML
封装 Bulk
功率 - 最大 1.5W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 280 @ 500mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RoHS RoHS Compliant
安装风格 Through Hole
集电极 - 发射极饱和电压 500 mV
直流电流增益hFE最大值 560
晶体管极性 NPN
系列 2SD1685
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 10 W
增益带宽产品fT 120 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 20 V
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
集电极 - 基极电压VCBO 60 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
连续集电极电流 5 A

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